近年來隨著AI和IoT的發展與普及,市場對損耗更低的SiC元件寄予更高的期望。ROHM開發出全新溝槽閘結構SiC MOSFET產品,採用4引腳封裝,可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能。與傳統3引腳封裝相比,開關損耗可降低約35%,有助於大幅降低各類應用裝置的功耗,適用於有高效率需求的伺服器電源、基地臺、太陽能變流器及電動車充電站等應用。

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